imec logo

In de diepte

Het ferro-elektrische geheugen: data-opslag van de toekomst?

In het kort

De recente ontdekking van een ferro-elektrische fase in hafnium-oxide (HfO2) deed de chipindustrie opnieuw dromen van ferro-elektrische geheugens. Een voorbeeld van een dergelijk geheugen is de ferro-elektrische veldeffecttransistor (FeFET). 

Dit niet-vluchtige geheugentype vertoont eigenschappen die interessant zijn voor zowel het opslaan van grote hoeveelheden data (als mogelijke opvolger van 3D-NAND-Flash) als voor machine-learning-toepassingen. 

In dit artikel wordt uitgelegd hoe de FeFET werkt en hoe deze nieuwkomer kan passen in het toekomstige geheugenlandschap.